A WDM-Compatible 4 × 32-Gb/s CMOS-driven electro-absorption modulator array

B. G. Lee, R. Rimolo-Donadio, A. V. Rylyakov, J. Proesel, J. F. Bulzacchelli, C. W. Baks, M. Meghelli, C. L. Schow, A. Ramaswamy, J. E. Roth, J. H. Shin, B. Koch, D. K. Sparacin, G. A. Fish

Producción científica: Capítulo del libro/informe/acta de congresoContribución a la conferenciarevisión exhaustiva

8 Citas (Scopus)

Resumen

A four-channel electro-absorption-modulator array, driven by 32-nm CMOS drivers providing 2-V peak-to-peak output swing, operates with BER < 10-12 at a data rate of 4 × 32 Gb/s and dissipates 170 mW of power.

Idioma originalInglés
Título de la publicación alojada2015 Optical Fiber Communications Conference and Exhibition, OFC 2015
EditorialInstitute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ISBN (versión digital)9781557529374
DOI
EstadoPublicada - 10 jun 2015
Evento2015 Optical Fiber Communications Conference and Exhibition, OFC 2015 - Los Angeles, Estados Unidos
Duración: 22 mar 201526 mar 2015

Serie de la publicación

NombreConference on Optical Fiber Communication, Technical Digest Series
Volumen2015-June

Conferencia

Conferencia2015 Optical Fiber Communications Conference and Exhibition, OFC 2015
País/TerritorioEstados Unidos
CiudadLos Angeles
Período22/03/1526/03/15

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'A WDM-Compatible 4 × 32-Gb/s CMOS-driven electro-absorption modulator array'. En conjunto forman una huella única.

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